16:19, 19 gruodžio 2014 versija taisyti 195.14.189.210 (aptarimas) Nėra keitimo santraukos Žyma: Vizualus redagavimas ← Prieš tai darytas keitimas		16:47, 30 rugpjūčio 2015 versija taisyti anuliuoti Bumbum (aptarimas \| indėlis) 447 keitimai S dialektrikas->dielektrikas; dvejetainė sistema->dvejetainė skaičiavimo sistema Kitas pakeitimas →
Eilutė 18: ''Puslaidininkiniuose IG'' visi elementai gaminami vieno [[puslaidininkis\|puslaidininkio]] kristalo paviršiuje ir tūryje; [[kristalas]] yra korpuse. ''Sluoksniniai IG'' yra sudaryti iš sluoksninių elementų ant [[~~dialektrikas~~dielektrikas\|dielektriko]] paviršiaus. Plonos plėvelės (iki 10<sup>-6</sup>m) yra gaunamos temovakuuminio nusodinimo ir katodinio purškimo būdu, o storos (daugiau kaip 10<sup>-6</sup>m) – [[šilkografija]] arba įtrinant mišinį pro [[trafaretas\|trafaretą]]. Sluoksninės technologijos metodu gaminami pasyvieji mikroschemų elementai – [[rezistorius\|rezistoriai]], [[kondensatorius\|kondensatoriai]] ir [[ritė]]s. ''Hibridiniai IG'' yra sudaryti iš sluoksninių pasyviųjų elementų, nekorpusinių aktyviųjų elementų ([[puslaidininkiniai diodai\|diodų]], [[tranzistorius\|tranzistorių]]) ir laidumo takelių bei aikštelių. Eilutė 30: [[Analoginės integrinės mikroschemos\|Analoginės mikroschemos]] skirtos tolydiniams signalams perdirbti ir apdoroti, naudojamos analoginėje technikoje ir [[radioelektronika\|radioelektronikoje]]. [[Skaitmeninės mikroschemos]] skirtos diskretiniams signalams ([[dvejetainė skaičiavimo sistema\|dvejetainėje sistemoje]]) perdirbti ir apdoroti, taikomos [[automatika\|automatikoje]], pramoninėje elektronikoje ir skaičiavimo technikoje. == IG gamybos pagrindiniai technologiniai procesai ==

Integrinis grandynas: Skirtumas tarp puslapio versijų