Metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius: Skirtumas tarp puslapio versijų

Ištrintas turinys Pridėtas turinys
Nėra keitimo santraukos
Eilutė 1:
[[Vaizdas:D2PAK.JPG|thumb]]
[[Vaizdas:D2PAK.JPG|thumb]]'''MOP'''Metalo, arbaoksido '''MOSFETir puslaidininkio lauko tranzistorius''' (({{en|Metal Oxid Semiconductor Field Efect Tranzistor}}, '''MOP''', '''MOS''' arba '''MOSFET''') yra- [[puslaidininkiai prietaisai|puslaidininkinis prietaisasįtaisas]], kurissudarytas veikiaiš metalo, oksido ir puslaidininkio, veikiantis elektrinio lauko reguliuojamo kanalo [[varža|varžos]] kitimo principu. Kanalas nuo užtūros yra izoliuotas [[dielektrikas|dielektriku]] ([[silicio oksidas|silicio dioksidu]]). Kanalai būna dviejų rūšių: pradiniai arba indukuoti. Tranzistorius buvo išrastas [[1948]] metais.
 
'''MOP – Laukolauko tranzistoriai''' turi tris valdymo [[elektrodas|elektrodus]] – G (''Gate'' – užtūra), D (''Drain'' – santaka), S (''Source'' – ištaka). Ypatinga šio tranzistoriaus savybė yra, kad užtūros valdymo srovė – mikroamperinė, taip pat mažas galios kritimas ant paties elemento. Trūkumai: užtūra turi talpumą, tranzistorius bijo statinio krūvio.
 
Kaip ir visų tranzistorių, jų laidusis kanalas gali būti N ir P tipo.
Pvz., MOP tranzistoriaus su N tipo laidžiuoju kanalu pagrindą sudaro P tipo puslaidininkis, kuris prie ištakos S (Source) ir santakos D (Drain) elektrodų yra gausiai legiruotas (padengtas) donorinėmis priemaišomis. Gaunamos dvi atskiros puslaidininkio N tipo sritys, kuriose gausu neigiamų krūvininkų, o tarp šių sričių ir pagrindo susidaro dvi pn sandūros.
 
'''MOP lauko tranzistorius''' - puslaidininkinis įtaisas, sudarytas iš metalo, oksido ir puslaidininkio. MOP lauko tranzistoriuje su atidaromu n kanalu, puslaidininkyje yra ištirpinti donoriniai ir akceptoriniai atomai. Puslaidininkio sritis su donorinėmis priemaišomis - n sritis, o su akceptorinėmis priemaišomis - p sritis. Dvi n sritys prijungtos prie ištakos (S) ir santakos (D) elektrodų, o tarp n sričių lieka p sritis. Neutralioje būsenoje tarp n ir p sričių susidaro pn sandūra. Užtūros elektrodas prijungiamas prie galinčio poliarizuotis oksido (SiO2) sluoksnio, kuris skiria užtūros elektrodą nuo p srities. Prijungus įtampą tarp ištakos (S-) ir santakos (D+), srovė neteka, nes tarp ištakos ir santakos elektrodų ir jų n sričių yra nelaidi p sritis. Suteikus užtūrai (G+) teigiamą potencialą, silicio dioksido sluoksnis poliarizuojasi: šalia užtūros susikaupia neigiamas krūvis, o šalia p srities - teigiamas. Savo ruoštu teigiamas krūvis pritraukia nuo ištakos ir santakos n sričių neigiamus krūvininkus, ir taip šias dvi n sritis sujungia į vieną. Susidariusiu n laidžiuoju kanalu gali tekėti srovė, esant įtampai tarp ištakos ir santakos.
 
 
{{electro-stub}}
 
{{commons|Category:MOS}}
 
[[Kategorija:Puslaidininkiniai įtaisai]]