Integrinis grandynas: Skirtumas tarp puslapio versijų

[[Silicis|Silicio]] plokštelės oksidavimas vyksta (800-1200 °C) temperatūroje [[deguonis|deguonies]] arba deguonies ir vandens garų mišinio apinkoje. Ant plokštelės paviršiaus susidaro [[silicio dioksidas|silicio dioksido SiO₂]]. Ploni (0,03-0,1 μm storio)silicio dioksido sluoksniai naudojami kaip izoliacija po [[MOP tranzistorius|MOP tranzistorių]] užtūromis. Storesni (0,3-0,8 μm) naudojami plokštelės paviršiui apsaugoto nuo priemaišų difuzijos ar joninio legiravimo procese į paviršių išeinančioms [[pn sandūra|pn sandūroms]] izoliuoti, suformuotos mikroschemos paviršiui apsaugoti nuo aplinkos poveikio it t. t.

Priemaišų difuzija vyksta legiruojančiųjų priemaišų aplinkoje 800–1250 °C temperatūroje. Į fotolitografijos būdu paruoštos neapsaugotus [[silicio dioksidas|SiO₂]] silicio plokštelės „langus“ įterpemos donorinės ar akceptorinės priemaišos ir puslaidininkio plokštelės pavirsiuje suformuojamos ''p'' ar ''n'' sritys. Difuzijos metodu puslaidininkio plokštelės paviršiuje galima suformuoti ir daugiasluoksnias struktūras, bet vienos plokštelės paviršiuje gali vykti nedaugiau kaip trys difuzijos procesai. Difuzijos gylis yra lygus keliems mikrometrams ir priklauso nuo difuzijos skvarbos, temperatūros, trukmės ir pradinės priemaišų koncentracijos puslaidininkyje.

Tai [[monokristalas|monokristalo]] sluoksnio auginimas kito monokristako paviršiuje kontroliuojant elektrinų laidumą. Epitaksinis sluoksnis auginamas virš įkaitintos iki 1250 °C plokštelės, leidžiant [[dujos|dujų]] ir [[silicio tetrochloridas|silicio tetrochlorido]] mišinį, iš kurio plokšlelės paviršiuje puseda puslaidininkis (Si). Epitaksinis auginimas plačiai taikomas mikroschemų gamyboje, kai reikia daryti daugiau sluoksnių negu įmanoma difuzijos arba joninio legiravimo būdais. Priemaišų pasiskirstymas epitaksiniame sluoksnyje tolygus, kas mikroschemų gamyboje labai svarbu.