Lauko tranzistorius: Skirtumas tarp puslapio versijų
Ištrintas turinys Pridėtas turinys
Nėra keitimo santraukos |
Nėra keitimo santraukos |
||
Eilutė 1:
'''Lauko tranzistoriumi''' vadinamas trijų [[elektrodas|elektrodų]]
▲'''Lauko tranzistoriumi''' vadinamas trijų elektrodų puslaidininkinis prietaisas, kuriame srovę kuria pagrindiniai krūvininkai, veikiami išilginio elektrinio lauko, o srovės stiprumas valdomas skersiniu elektriniu lauku, kurį sukuria įtampa, prijungta prie valdymo elektrodo.
Atsižvelgiant į konstrukcinius ypatumus, visus lauko tranzistorius galima suskirstyti į dvi grupes:
Kanalo srovės stiprumas priklauso nuo [[įtampa|įtampos]] Us, prijungtos tarp santakos ir ištakos, apkrovos [[varža|varžos]] ir puslaidininkinės plokštelės tarp santakos ir ištakos varžos. Kai Us ir Ra yra pastovios, kanalo srovė Is (santakos srovė) priklauso tik nuo kanalo skerspjūvio efektyviojo ploto. Šaltinis Eui sukuria užtūroje neigiamą įtampą, o dėl to padidėja pn sandūros storis ir sumažėja srovei laidaus kanalo skerspjūvio plotas. Mažėjant kanalo skerspjūviui, didėja varža tarp ištakos ir santakos ir silpnėja srovė Is. Sumažėjus užtūros įtampai, sumažėja kanalo varža ir sustiprėja srovė Is. Nuosekliai prie Eui prijungus stiprinamos kintamosios įtampos šaltinį Uin, kanalo srovę galima keisti įėjimo įtampos kitimo dėsniu. Santakos srovė, tekėdama apkrovos rezistoriumi Ra, sukuria jame įtampos kritimą, kuris kinta Uin dėsniu. Tinkamai parinkus Ra, galima pasiekti, kad padidėtų išėjimo įtampos amplitudė, lyginant su įėjimo įtampos amplitude, t. y. sustiprinti signalą. Lauko tranzistoriai su izoliuota užtūra yra šitokios struktūros: metalas – dielektrikas (oksidas) – puslaidininkis. Todėl dažnai jie vadinami MDP,
▲1) lauko tranzistoriai su pn sandūromis (kanaliniai arba vienpoliai tranzistoriai);
[[Category:Elektronika]]
▲2) lauko tranzistoriai su izoliuota užtūra (MDP arba MOP tranzistoriai).
[[en:Field effect transistor]]
▲Kanalo srovės stiprumas priklauso nuo įtampos Us, prijungtos tarp santakos ir ištakos, apkrovos varžos ir puslaidininkinės plokštelės tarp santakos ir ištakos varžos. Kai Us ir Ra yra pastovios, kanalo srovė Is (santakos srovė) priklauso tik nuo kanalo skerspjūvio efektyviojo ploto. Šaltinis Eui sukuria užtūroje neigiamą įtampą, o dėl to padidėja pn sandūros storis ir sumažėja srovei laidaus kanalo skerspjūvio plotas. Mažėjant kanalo skerspjūviui, didėja varža tarp ištakos ir santakos ir silpnėja srovė Is. Sumažėjus užtūros įtampai, sumažėja kanalo varža ir sustiprėja srovė Is. Nuosekliai prie Eui prijungus stiprinamos kintamosios įtampos šaltinį Uin, kanalo srovę galima keisti įėjimo įtampos kitimo dėsniu. Santakos srovė, tekėdama apkrovos rezistoriumi Ra, sukuria jame įtampos kritimą, kuris kinta Uin dėsniu. Tinkamai parinkus Ra, galima pasiekti, kad padidėtų išėjimo įtampos amplitudė, lyginant su įėjimo įtampos amplitude, t. y. sustiprinti signalą. Lauko tranzistoriai su izoliuota užtūra yra šitokios struktūros: metalas – dielektrikas (oksidas) – puslaidininkis. Todėl dažnai jie vadinami MDP, arbaMOP, tranzistoriais.
| |||