Kompiuterio atmintis: Skirtumas tarp puslapio versijų

1 007 pridėti baitai ,  prieš 8 metus
S
Atmestas 78.62.3.249 pakeitimas, grąžinta ankstesnė versija (Addbot keitimas)
S (Atmestas 78.62.3.249 pakeitimas, grąžinta ankstesnė versija (Addbot keitimas))
* Vienąkart įrašoma. Ši atmintis yra palyginus greita, tačiau kartą įrašytų duomenų pakeisti neįmanoma.
* Daugelį kartų pakartotinai įrašoma (su ankstesnės informacijos nutrynimo galimybe). Nutrynimas gali būti įvykdomas arba elektriškai arba tik specifinėmis manipuliacijomis (pavyzdžiui, apšviečiant ultravioletine šviesa). Ši atmintis yra daug lėtesnė. Darbui pagreitinti jos turinys vykdymo metu kai kada perkeliamas į greičiau dirbančią operatyvinę atmintį („šešėlinė atmintis“).
 
=== Operatyvinė statinė atmintis ===
[[Vaizdas:6t-SRAM-cell.png|thumb|250px|Šešių transzistorių statinės operatyvinės atminties ląstelė]]
Ši atmintis išsaugo įrašytą informaciją tol, kol tiekiama maitinimo įtampa, todėl kol prijungtas maitinimo šaltinis, duomenys išlieka kiek norima ilgai. Šiek tiek tokios atminties yra jau pačiame mikroprocesoriuje (registrai, kai kada ir stekas). Informacija saugoma įvairaus tipo [[trigeris|trigeriuose]].
 
Kadangi nereikalinga [[atminties regeneracija|regeneracija]], šio tipo atmintį patogu naudoti paprastuose kompiuteriuose. Ji neretai taip pat ir greitesnė už regeneruojamą atmintį. Tačiau statinės atminties mikroschemos paprastai brangesnės ir jų atminties talpa mažesnė nei dinaminės atminties mikroschemų. Taip yra todėl, kad jų atminties ląstelė (trigeris) yra palyginus sudėtinga. Ją sudaro šeši, aštuoni ar net dešimt tranzistorių (palyginus su dinamine atmintimi, kurią sudaro tik vienas tranzistorius).
 
=== Operatyvinė regeneruojama (dinaminė) atmintis ===