Metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius: Skirtumas tarp puslapio versijų
Ištrintas turinys Pridėtas turinys
Nėra keitimo santraukos |
Kas sekantis papyldis is manes sociai, uztenka :) |
||
Eilutė 1:
'''MOP''' arba '''MOSFET''' ([[anglų kalba|angl.]] ''Metal Oxid Semiconductor Field Efect Tranzistor'') yra [[puslaidininkiai prietaisai|puslaidininkinis prietaisas]] kuris veikia elektrinio lauko reguliuojamo kanalo varžos kitimo principu. Kanalas yra izoliuotas dielektriku (silicio dioksidu) nuo užtūros. Kanalai būna dviejų rūšių: pradiniai arba indukuoti. Tranzistorius buvo išrastas [[1948]] metais.
'''Papildymas:'''
'''MOP - Lauko tranzistoriai'''
Lauko tranzistorius turi 3 valdimo elektrodus G,D,S (Gate,Drain,Source) arba
lietuviu kalboje (Istaka,Santaka,Uztura).
Privalumai: Ipatinga sio tranzistoriaus savybe, kad Uzturos valdymo srove yra mikroamperine.
Mazas galios kritimas ant pacio elemento.
Trukumai : Uztura turi talpuma, Tranzistorius bijo statinio kruvio.
Kaip ir visu tranzistoriu, ju laidusis kanalas gali buti '''N''' ir '''P''' tipo.
Veikimo principui paaiskinti pasirinksime MOP tranzistoriu su '''N''' tipo laidziuoju kanalu. Jo pagrinda sudaro '''P''' tipo puslaidininkis, kuris prie istakos '''S''' (Source) ir santakos '''D''' (Drain) elektrodu yra gausiai legiruotas (Padengtas) donorinemis priemaisomis. Gaunamos dvi atskiros puslaidininkio sritys '''N+''' tipo, kuriuose gausu neigiamu kruvininku, o tarp siu sriciu ir pagrindo susidaro dvu '''P-N''' sanduros.
{{electro-stub}}
| |||