Kompiuterio atmintis: Skirtumas tarp puslapio versijų

6 065 pridėti baitai ,  prieš 11 metų
Žyma: Žyma: Trynimas
== Klasifikacija pagal panaudojimą ==
Egzistuoja šios operatyvinės atminties rūšys: ''registrai'', veikiantys, kaip neatskiriama [[Procesorius|procesoriaus]] dalis, procesoriaus priešatmintis (''cache''), ''adresuojama atmintis'' (''RAM'', iš {{en|Random Access Memory}}) ir ''[[Stekas|stekinė]] atmintis''. Pastaroji buvo įrengta pirmuosiuose masinės gamybos mikroprocesoriuose, tačiau šiuo metu menkai paplitusi dėl didelės kainos ir mažos greitaveikos, apdirbant didelius duomenų masyvus. Dėl programavimo ir kešavimo patogumo ji kartais ir dabar naudojama [[Superkompiuteris|superkompiuteriuose]]. Asmeniniuose kompiuteriuose naudojama tik ''adresuojama atmintis'', dėl to labai dažnai ''atmintis'' vadinama santrumpa „RAM“.
== Atminties tipai ==
 
=== Pastovioji atmintis ===
[[Vaizdas:Eprom.jpg|thumb|250px|Pakartotinai įrašoma, ultravioletine šviesa nutrinama atmintis su kvarciniu langeliu mikroschemos kristalui apšviesti]]
[[Vaizdas:D23128C PROM.jpg|thumb|250px|Vienąkart įrašoma (reikiamose vietose perdeginant dalį vidinių takelių) atmintis]]
Šis atminties tipas išsaugo informaciją ir atjungus maitinimo šaltinį. Paprastesnėse sistemose (kalkuliatoriuose, mobiliuose telefonuose, įvairiuose specializuotuose kompiuteriuose) joje gali būti saugomos visos reikalingos vykdyti programos. Įprastiniuose kompiuteriuose šioje atmintyje esanti programinė įranga ([[BIOS]]) parengia darbui kompiuterio aparatinę dalį ir įkrauna paprastai magnetiniame diske saugomą [[Operacinė sistema|operacinę sistemą]].
 
Priklausomai nuo naudotų techninių sprendimų, pastovioji atmintis gali būti
* Jau gaminama su tam tikra įrašyta informacija. Tokia atmintis tinka tik didelėmis serijomis gaminamuose įrenginiuose.
* Vienąkart įrašoma. Ši atmintis yra palyginus greita, tačiau kartą įrašytų duomenų pakeisti neįmanoma.
* Daugelį kartų pakartotinai įrašoma (su ankstesnės informacijos nutrynimo galimybe). Nutrynimas gali būti įvykdomas arba elektriškai arba tik specifinėmis manipuliacijomis (pavyzdžiui, apšviečiant ultravioletine šviesa). Ši atmintis yra daug lėtesnė. Darbui pagreitinti jos turinys vykdymo metu kai kada perkeliamas į greičiau dirbančią operatyvinę atmintį („šešėlinė atmintis“).
l;';'[p
 
=== Operatyvinė statinė atmintis ===
[[Vaizdas:6t-SRAM-cell.png|thumb|250px|Šešių transzistorių statinės operatyvinės atminties ląstelė]]
Ši atmintis išsaugo įrašytą informaciją tol, kol tiekiama maitinimo įtampa, todėl kol prijungtas maitinimo šaltinis, duomenys išlieka kiek norima ilgai. Šiek tiek tokios atminties yra jau pačiame mikroprocesoriuje (registrai, kai kada ir stekas). Informacija saugoma įvairaus tipo [[trigeris|trigeriuose]].
 
Kadangi nereikalinga [[atminties regeneracija|regeneracija]], šio tipo atmintį patogu naudoti paprastuose kompiuteriuose. Ji neretai taip pat ir greitesnė už regeneruojamą atmintį. Tačiau statinės atminties mikroschemos paprastai brangesnės ir jų atminties talpa mažesnė nei dinaminės atminties mikroschemų. Taip yra todėl, kad jų atminties ląstelė (trigeris) yra palyginus sudėtinga. Ją sudaro šeši, aštuoni ar net dešimt tranzistorių (palyginus su dinamine atmintimi, kurią sudaro tik vienas tranzistorius).
 
=== Operatyvinė regeneruojama (dinaminė) atmintis ===
[[Vaizdas:SODIMM 64MB SDRAM.JPG|thumb|250px|Plokštė su operatyvinės regeneruojamos atminties mikroschemomis (64 Mb). Paprastai kompiuteris turi keletą lizdų tokioms plokštėms įstatyti. Dalis jų naujame kompiuteryje yra tušti, įgalindami atmintį prireikus išplėsti.]]
Ši atmintis išsaugo informacija tik ribotą, paprastai gana trumpą (sekundės dalys) laiką. Taip yra todėl, jog jų įsimenantis elementas yra ne trigeris, o krūvį saugantis (taigi ir savaime išsikraunantis) kondensatorius. Norint neprarasti duomenų, jie turi būti periodiškai nuskaitomi ir iš naujo įrašomi ([[atminties regeneracija]]). Regeneracijai palengvinti dauguma šiuolaikinių tokios atminties mikroschemų sugeba pačios atnaujinti tuo metu skaitomus duomenis (neretai net tik skaitomą, bet ir kelias dešimtis ar šimtus gretimų atminties ląstelių). Regeneracijos procesas vienu metu vyksta visose atminties mikroschemose, todėl atminties plėtimas kompiuterio darbo nesulėtina.
 
Kol procesorius neinicializavo regeneracijos aparatinės įrangos, ši atmintis apskritai neveikia. Tokiomis sąlygomis naujai įjungus kompiuterį dirba [[BIOS]]. Paprasčiausias būdas atminčiai regeneruoti – periodiškai kviesti reikiamą skaičių atminties ląstelių perrenkančią procesoriaus paprogramę. Neretai tokia paprogramė kviečiama kaip atsakas į periodiškai generuojamą [[pertraukimas|pertraukimą]].
 
Regeneracijai pagreitinti naudojamos įvairios išorinės schemos, tačiau kol jos dirba, atmintis lieka neprieinama procesoriui. Vienu metu buvo galima „skaidri regeneracija“, atmintį regeneruojant tuo metu, kai procesorius į ją nesikreipia. Tačiau šiuolaikiniai procesoriai dirba pernelyg greitai ir taip regeneruoti nepakanka laiko. Taigi procesorių tenka laikinai stabdyti. Tačiau atminties ląstelė yra palyginus paprasta ir galima gaminti didelės talpos (šimtai megabaitų ir daugiau) šio tipo mikroshemas. Būtent todėl jos šiuo metu daugumoje kompiuterių yra pagrindinis atminties tipas.
 
=== Adresavimo tipai ===
Paprasčiausiu atveju atminties mikroschema turi kontaktų grupę, kurioje nustatomas skaitomos (ar rašomos) ląstelės dvejetainis adresas. Siekiant sumažinti kontaktų skaičių, adresas gali būti padalintas į dvi ta pačia kontaktų grupe įvedamas dalis (stulpelis ir eilutė), naudojant papildomus įėjimo signalus CAS (įvedamas stulpelio numeris) ir RAS (įvedamas eilutės numeris). Dinaminėje atmintyje paprastai skaitant ar rašant į bet kurią stulpelio ląstelę, regeneruojamas ir kitų tame stulpelyje esančių ląstelių turinys.
 
Rečiau pasitaiko, tačiau taip pat naudojamos du adreso įėjimus turinčios atminties mikroschemos (procesorius ir, tarkim, displėjus gali dirbti su ta pačia atmintimi vienas kitam netrukdydami). Kai kada vietoje antrojo adreso naudojamas nuoseklaus perrinkimo signalų rinkinys, leidžiantis antrajam įrenginiui ląsteles perrinkti tik nuosekliai vieną po kitos.
 
Atminties mikroschemos išėjimas paprastai gali persijungti į didelės varžos (Z) būseną, todėl visų kompiuterio atminties mikroschemų vienavardžiai adreso, maitinimo, duomenų perdavimo ir dauguma valdymo signalų išvadų gali būti tiesiog sujungti tarpusavyje (taip prijungiant ir naujas mikroschemas, jei atmintį reikia plėsti). Mikroschema į signalus reaguoja ir pati juos formuoja tik jei jos išrinkimo įėjime (CS) yra aktyvus loginis lygmuo.
 
== Klasifikacija pagal korpuso konstrukciją ==
Anoniminis naudotojas