|
IG komponentu vadinama ta grandyno dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
== IG gamybos pagrindiniai technologiniai procesai ==
Šiuolaikinių IG gamybos technologijoje yra daug operacijų.
=== Oksidavimas ===
[[Silicis|Silicio]] plokštelės oksidavimas vyksta (800-1200 °C) temperatūroje [[deguonis|deguonies]] arba deguonies ir vandens garų mišinio apinkoje. Ant plokštelės paviršiaus susidaro [[silicio dioksidas|silicio dioksido SiO<sub>2</sub>]]. Ploni (0,03-0,1 μm storio)silicio dioksido sluoksniai naudojami kaip izoliacija po [[MOP tranzistorius|MOP tranzistorių]] užtūromis. Storesni (0,3-0,8 μm) naudojami plokštelės paviršiui apsaugoto nuo priemaišų difuzijos ar joninio legiravimo procese į paviršių išeinančioms [[pn sandūra|pn sandūroms]] izoliuoti, suformuotos mikroschemos paviršiui apsaugoti nuo aplinkos poveikio it t. t.
=== Ėsdinimas ===
Tai medžiagos sluoksnių pašalinimas nuo kristalo paviršiaus cheminiu, elektrocheminiu, joniniu bei plazmocheminiu ėsdinimu. ''Cheminis ėsdinimas'' – tai plokstelės paviršiaus ardymas skystu tirpikliu. Nuėsdinamo sluoksnio storis priklauso nuo ėsdiklio koncentracijos, ėsdinimo temperatūros bei trukmės. ''Elektrocheminis ėsdinimas'' vyksta tik tirpikliu tekant srovei. Pašalinamo sluoksnio storis reguliuojamas tekančios tirpikliu srovės stiprumu ir trukme. ''Joninis ėsdinimas'' – tai plokštelės paviršiaus bombardavimas greitaisiais [[jonas (dalelė)|jonais]] [[vakuumas|vakuume]]. ''Plazmocheminiu ėsdinimu'' vadinamas procesas, kai paviršių bombarduojantys jonai ne tik jį ardo, bet ir saveikauja su ėsdinama medžiaga.
=== Fotolitografija ===
[[Vaizdas:InternalIntegratedCircuit2.JPG|thumb|200px|Fotolitografiniu būdu gaminamas 4,8 GHz dažnio mikroprocesorius.]]
Ji pagrysta šviesai jautrių medžiagų savybe keisti atsparumą tirpikliams, paveikus [[šviesa]]. Fotolitografijos procese [[puslaidininkis|puslaidininkė]] plokštelė po oksidavimo padengiama [[fotorezistas|fotorezistu]] (fotojautriu sluoksniu), ant jo uždedamas fotošablonas (stiklo plokštelė, iš apačios padengta metalo sluoksniu, kuriame reikiamose vietose išėsdintos angos). Taip paruošta plokštelė iš viršaus apšviečiama [[ultravioletiniai spinduliai|ultravioletiniais spinduliais]](eksponuojama). Apšviestas fotorezistas tampa atsparus ėsdinantiems tirpikliams, o neapšviestas yra pašalinamas ryškinimo metu, ir tose vietose matyti dioksido plėvelė. Po to plėvelė veikiama tirpikliu, ėsdinanciu [[silicio dioksidas|SiO<sub>2</sub>]], bet neveikiančiu apšviesto fotorezisto. Nepadengtose fotorezisto vietose oksido plėvelė nuėsdinama, ir okside gaunami „langai“. Kitu tirpikliu pašalinamas fotorezistas, ir plokštelės paviršiuje lieka [[silicio oksidas|silicio oksido]] plėvelė, labai tiksliai pakartojanti fotošablono piešinį. Fotolitografijos būdu galima gauti piešinį, sudarytą iš 2 μm dydžio elementų. Norint sumažinti elementų matmenis ir padidinti montažo [[tankis|tankį]], taikoma [[elektronolitografija]], kurioje vietoj [[šviesa|šviesos]] leidžiamas [[elektronas|elektronų]] srautas.
=== Difuzija ===
Priemaišų difuzija vyksta legiruojančiųjų priemaišų aplinkoje 800–1250 °C temperatūroje. Į fotolitografijos būdu paruoštos neapsaugotus [[silicio dioksidas|SiO<sub>2</sub>]] silicio plokštelės „langus“ įterpiamos donorinės ar akceptorinės priemaišos ir puslaidininkio plokštelės
=
=== Epitaksija ===
Tai [[monokristalas|monokristalo]] sluoksnio auginimas kito monokristako paviršiuje kontroliuojant elektrinų laidumą. Epitaksinis sluoksnis auginamas virš įkaitintos iki 1250 °C plokštelės, leidžiant [[dujos|dujų]] ir [[silicio tetrochloridas|silicio tetrochlorido]] mišinį, iš kurio plokšlelės paviršiuje puseda puslaidininkis (Si). Epitaksinis auginimas plačiai taikomas mikroschemų gamyboje, kai reikia daryti daugiau sluoksnių negu įmanoma difuzijos arba joninio legiravimo būdais. Priemaišų pasiskirstymas epitaksiniame sluoksnyje tolygus, kas mikroschemų gamyboje labai svarbu.
=== Metalizavimas ===
metalinių sluoksnių sudarymas plokštelės paviršiuje. Metalizuojant vakuuminio garinimo būdu formuojami jungimo takeliai, kontaktų aikštelės bei [[kondensatorius|kondensatorių]] plokštelės. Metalas po gaubtu [[vakuumas|vakuume]] kaitinamas iki garavimo. Garai nusėda ant plokštelės, esančios po tuo pačiu gauptu. Šis būdas taikomas puslaidininkiniuose, sluoksniniuose ir hibridiniuose grandynuose. Hibridiniouse ir sluoksniniuose grandynuose pagrindiniai elementai formuojami garinimo būdu.
{{Commons|Integrated circuit|no=T}}
[[Kategorija:Elektronika]]
[[af:Geïntegreerde stroombaan]]
[[ar:دارة متكاملة]]
[[bg:Интегрална схема]]
[[bn:সমন্বিত বর্তনী]]
[[bs:Integralno kolo]]
[[ca:Circuit integrat]]
[[cs:Integrovaný obvod]]
[[da:Integreret kredsløb]]
[[de:Integrierter Schaltkreis]]
[[el:Ολοκληρωμένο κύκλωμα]]
[[en:Integrated circuit]]
[[eo:Integra cirkvito]]
[[es:Circuito integrado]]
[[et:Mikrokiip]]
[[eu:Txip]]
[[fa:تراشه]]
[[fi:Mikropiiri]]
[[fr:Circuit intégré]]
[[gan:集成電路]]
[[he:מעגל משולב]]
[[hi:एकीकृत परिपथ]]
[[hr:Integrirani krug]]
[[ht:Sikui entegre]]
[[hu:Integrált áramkör]]
[[hy:Ինտեգրալ սխեմա]]
[[id:Sirkuit terpadu]]
[[it:Circuito integrato]]
[[ja:集積回路]]
[[ko:집적회로]]
[[lv:Integrālā shēma]]
[[mk:Интегрално коло]]
[[ml:ഇൻറഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ട്]]
[[ms:Litar bersepadu]]
[[nl:Geïntegreerde schakeling]]
[[no:Integrert krets]]
[[pl:Układ scalony]]
[[pt:Circuito integrado]]
[[ro:Circuit integrat]]
[[ru:Интегральная схема]]
[[sh:Integralno kolo]]
[[simple:Integrated circuit]]
[[sk:Integrovaný obvod]]
[[sl:Integrirano vezje]]
[[sq:Qarqet e integruara]]
[[sr:Интегрисано коло]]
[[sv:Integrerad krets]]
[[th:วงจรรวม]]
[[tr:Tümdevre]]
[[uk:Мікросхема]]
[[vi:Vi mạch]]
[[zh:集成电路]]
[[zh-yue:集成電路]]
| 