Integrinis grandynas: Skirtumas tarp puslapio versijų

Ištrintas turinys Pridėtas turinys
SieBot (aptarimas | indėlis)
S robotas Pridedama: ht:Sikui entegre
Žyma: Žyma: Trynimas
Eilutė 11:
 
IG komponentu vadinama ta grandyno dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
 
== Klasifikacija ==
 
IG klasifikuojamos pagal gamybos technologiją, integracijos laipsnį, funkcinę paskirtį ir aktyviųjų elementų tipą.
 
''Puslaidininkiniuose IG'' visi elementai gaminami vieno [[puslaidininkis|puslaidininkio]] kristalo paviršiuje ir tūryje; [[kristalas]] yra korpuse.
 
''Sluoksniniai IG'' yra sudaryti iš sluoksninių elementų ant [[dialektrikas|dialektriko]] paviršiaus. Plonos plėvelės (iki 10<sup>-6</sup>m) yra gaunamos temovakuuminio nusodinimo ir katodinio purškimo būdu, o storos (daugiau kaip 10<sup>-6</sup>m) – [[šilkografija]] arba įtrinant mišinį pro [[trafaretas|trafaretą]]. Sluoksninės technologijos metodu gaminami pasyvieji mikroschemų elementai – [[rezistorius|rezistoriai]], [[kondensatorius|kondensatoriai]] ir [[ritė]]s.
 
''Hibridiniai IG'' yra sudaryti iš sluoksninių pasyviųjų elementų, nekorpusinių aktyviųjų elementų ([[puslaidininkiniai diodai|diodų]], [[tranzistorius|tranzistorių]]) ir laidumo takelių bei aikštelių.
 
Priklausomai nuo elementų ir komponentų vietoje IG skaičiaus mikroschemos būna skirtingo ''integracijos laipsnio''. IG sudėtingumas apibūdinamas jų integracijos laipsniu ''K<sub>i</sub>'', priklausančiu nuo elementų skaičiaus ''N'' mikroschemoje. ''K<sub>i</sub>'' lygus artimiausiam sveikajam skaičiui, nemažesniam kaip ''lgN'':
 
:: <math>K_i=lgN</math>
 
Mikroschemos, kurių ''N''&nbsp;&nbsp;≤&nbsp;&nbsp;10, vadinamos ''pirmo'' integracijos laipsnio mikroschemomis (''K<sub>i</sub>''=1); ''N''=11…100, – ''antrojo'' (''K<sub>i</sub>''=2); ''N''=101…1000 – ''trečiojo'' (''K<sub>i</sub>''=3); ''N''=1001…10000 – ''ketvirtojo'' (''K<sub>i</sub>''=4); ''N''=10001…100000 – ''penktojo (''K<sub>i</sub>''=5). IMS, kurių ''K<sub>i</sub>''=4, vadinamos didelėmis (DIS), kurių ''K<sub>i</sub>''=5, – superdidelėmis (SDIS).
 
[[Analoginės integrinės mikroschemos|Analoginės mikroschemos]] skirtos tolydiniams signalams perdirbti ir apdoroti, naudojamos analoginėje technikoje ir [[radioelektronika|radioelektronikoje]].
 
[[Skaitmeninės mikroschemos]] skirtos diskretiniams signalams ([[dvejetainė sistema|dvejetainėje sistemoje]]) perdirbti ir apdoroti, taikomos [[automatika|automatikoje]], pramoninėje elektronikoje ir skaičiavimo technikoje.
 
== IG gamybos pagrindiniai technologiniai procesai ==