Integrinis grandynas: Skirtumas tarp puslapio versijų

Ištrintas turinys Pridėtas turinys
Nėra keitimo santraukos
Nėra keitimo santraukos
Eilutė 5:
Elektroniniuose įrenginiuose IMS yra pagrindinis vientisas nedalomas elementas toks, koks įprastinėje technikoje [[rezistorius]], [[kondensatorius]] arba [[tranzistorius]]. IMS susideda iš elementų ir komponetų.
 
IMS elementu vadinama mikroschemos dalis, kuri atlieka [[puslaidininkiniaipuslaidininkis prietaisaiprietaisas|puslaidininkio elemento]] ([[Puslaidininkiniai diodai|diodo]], [[tranzistorius|tranzistoriaus]]), [[kondensatorius|kondensatoriaus]] ir t.t. funkciją ir konstruktyviai neatskiriama nuo IMS.
 
IMS komponentu vadinama ta mikroschemos dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
Eilutė 19:
 
 
[[Puslaidininkinės integrinės mikroschemos (PIMS)|Pusalidininkinėse (monolitinėse) IMS]] visi elementai gaminami vieno pusalidininkio kristalo paviršiuje ir [[tūris|tūryje]]; kristalas yra korpuse.
 
[[Hibridinės integrinės mikroschemos (HIMS)|Hibridinės IMS]] yra sudarytos iš sluoksninių pasyviųjų elementų, nekorpusinių aktyviųjų elementų ([[puslaidininkiniai diodai|diodų]], [[tranzistorius|tranzistorių]]) ir laidumo takelių bei aikštelių.
 
[[Sluoksninės integrinės mikroschemos|Sluoksninės IMS]] yra sudarytos iš sluoksninių elementų ant [[dialektrikas|dialektriko]] paviršiaus. Plonos plėvelės (iki 10<sup>-6</sup>m) yra gaunamos temovakuuminio nusodinimo ir katodinio purškimo būdu, o storos (daugiau kaip 10<sup>-6</sup>m) - [[šilkografija]] arba įtrinant mišinį pro [[trafaretas|trafaretą]]. Sluoksninės technologijos metodu gaminami pasyvieji mikroschemų elementai - [[rezistorius|rezistoriai]], [[kondensatorius|kondensatoriai]] ir [[ritė|ritės]].
 
Priklausomai nuo elementų ir komponentų vietoje IMS skaičiaus mikroschemos būna skirtingo integracijos laipsnio. IMS sudėtingumas apibūdinamas jų integracijos laipsniu ''K<sub>i</sub>'', priklausančiu nuo elementų skaięiaus ''N'' mikroschemoje. ''K<sub>i</sub>'' lygus artimiausiam sveikajam skaičiui, nemažesniam kaip ''lgN''.
Eilutė 39:
Šiuolaikinių IMS gamybos technologijoje yra daug operacijų.
 
'''Oksidavimas.''' [[Silicis|Silicio]] plokštelės oksidavimas vyksta (800-1200°C) temperatūroje [[deguonis| deguonies]] arba deguonies ir vandens garų mišinio apinkoje. Ant plokštelės paviršiaus susidaro [[silicio dioksidas|silicio dioksido SiO<sub>2</sub>]]. Ploni (0,03-0,1 &mu;m storio)silicio dioksido sluoksniainaudojamisluoksniai naudojami kaip izoliacija po [[MOP tranzistorius|MOP tranzistorių]] užtūromis. Storesni (0,3-0,8 &mu;m) naudojami plokštelės paviršiui apsaugoto nuo priemaišų difuzijos ar joninio legiravimo procese į paviršių išeinančioms [[pn sandūra|pn sandūroms]] izoliuoti, suformuotos mikroschemos paviršiui apsaugoti nuo aplinkos poveikio it t.t.
 
'''Ėsdinimas.''' Tai medžiagos sluoksnių pašalinimas nuo kristalo paviršiaus cheminiu, elektrocheminiu, joniniu bei plazmocheminiu ėsdinimu. ''Cheminis ėsdinimas'' - tai plokstelės paviršiaus ardymas skystu tirpikliu. Nuėsdinamo sluoksnio storis priklauso nuo ėsdiklio koncentracijos, ėsdinimo temperatūros bei trukmės. ''Elektrocheminis ėsdinimas'' vyksta tik tirpikliu tekant srovei. Pašalinamo sluoksnio storis reguliuojamas tekančios tirpikliu srovės stiprumu ir trukme. ''Joninis ėsdinimas'' - tai plokštelės paviršiaus bombardavimas greitaisiais [[jonas|jonais]] [[vakuumas|vakuume]]. ''Plazmocheminiu ėsdinimu'' vadinamas procesas, kai paviršių bombarduojantys jonai ne tik jį ardo, bet ir saveikauja su ėsdinama medžiaga.
 
'''Fotolitografija.''' Ji pagrysta šviesai jautrių medžiagų savybe keisti atsparumą tirpikliams, paveikus [[šviesa]].Fotolitografijos procese puslaidininkė plokštelė po oksidavimo padengema [[fotorezistas|fotorezistu]] (fotojautriu sluoksniu), ant jo uždedamas fotošablonas (stiklo plokštelė, iš apačios padengta metalo sluoksniu, kuriame reikiamose vietose išėzdintos angos). Taip paruošta plokštelė iš viršaus apšviečiama [[ultravioletiniai spinduliai|ultravioletiniais spinduliais]](eksponuojama). Apšviestas fotorezistas tampa atsparus ėsdinantiems tirpikliams, o neapšviestas yra pašalinamas ryškinimo metu, ir tose vietose matyti dioksido plėvelė. Po to plėvelė veikiama tirpikliu, ėsdinanciu [[silicio dioksidas|SiO<sub>2</sub>]], bet neveikiančiu apšviesto fotorezisto. Nepadengtose fotorezisto vietose oksido plėvelė nuėsdinama, ir okside gaunami "langai". Kitu tirpikliu pašalinamas fotorezistas, ir plokštelės paviršiuje lieka [[silicio oksidas|silicio oksido]] plėvelė, labai tiksliai pakartojanti fotošablono piešinį. Fotolitografijos būdu galima gauti piešinį, sudarytą iš 2 &mu;m dydžio elementų. Norint sumažinti elementų matmenis ir padidinti montažo [[tankis|tankį]], taikoma [[elektronolitografija]], kurioje vietoj [[šviesa|šviesos]] leidžiamas [[elektronas|elektronų]] srautas.
 
[[Image:Fotolitografijos procesas.png|thumb|center|500px|Fotolitografijos procesas: a - oksidavimas ir dengimas [[fotorezistas|fotorezistu]] (FR); b - eksponavimas; c - ryškinimas; d - ėsdinimas]]
 
'''Difuzija.''' Priemaišų difuzija vyksta legiruojančiųjų priemaišų aplinkoje 800...1250°C temperatūroje. Į fotolitografijos būdu paruoštos neapsaugotus [[silicio dioksidas|SiO<sub>2</sub>]] silicio plokštelės "langus" įterpemos donorinės ar akceptorinės priemaišos ir puslaidininkio plokštelės pavirsiuje suformuojamos ''p'' ar ''n'' sritys. Difuzijos metodu puslaidininkio plokštelės paviršiuje galima suformuoti ir daugiasluoksnias struktūras, bet vienos plokštelės paviršiuje gali vykti nedaugiau kaip trys difuzijos procesai. Difuzijos gylis yra lygus keliems mikrometrams ir priklauso nuo difuzijos skvarbos, temperatūros, trukmės ir pradinės priemaišų koncentracijos puslaidininkyje.
 
[[Image:Skirtingo laidumo sriciu formavimas ir elementu izoliavimas.png|thumb|center|500px|Skirtingo laidumo sričių formavimas ir elementų izoliavimas]]
 
[[Category:Elektronika]]