Integrinis grandynas: Skirtumas tarp puslapio versijų
Ištrintas turinys Pridėtas turinys
Nėra keitimo santraukos |
Nėra keitimo santraukos |
||
Eilutė 5:
Elektroniniuose įrenginiuose IMS yra pagrindinis vientisas nedalomas elementas toks, koks įprastinėje technikoje [[rezistorius]], [[kondensatorius]] arba [[tranzistorius]]. IMS susideda iš elementų ir komponetų.
IMS elementu vadinama mikroschemos dalis, kuri atlieka [[puslaidininkiniai
IMS komponentu vadinama ta mikroschemos dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
Eilutė 29:
<math>K_i=lgN</math>
Mikroschemos, kurių <i>N</i> ≤ 10, vadinamos ''pirmo'' integracijos laipsnio mikroschemomis (''K<sub>i</sub>''=1); ''N''=11...100, - ''antrojo'' (''K<sub>i</sub>''=2); ''N''=101...1000 - ''trečiojo'' (''K<sub>i</sub>''=3); ''N''=1001...10000 - ''ketvirtojo'' (''K<sub>i</sub>''=4); ''N''=10001...100000 - ''penktojo (''K<sub>i</sub>''=5). IMS, kurių ''K<sub>i</sub>''=4, vadinamos [[didelės integrinės mikroschemos (DIS)|didelėmis (DIS)]], kurių ''K<sub>i</sub>''=5, - superdidelėmis (SDIS).
[[Analoginės (tiesinės) integrinės mikroschemos|Tiesinės IMS]] skirtos tolydiniams signalams perdirbti ir apdoroti, naudojamos analoginėje technikoje ir [[radioelektronika|radioelektronikoje]].
[[Skaitmeninės mikroschemos|Skaitmeninės IMS]] skirtos diskretiniams signalams ([[dvejetainė sistema|dvejetainėje sistemoje]]) perdirbti ir abdoroti, taikomos [[automatika|automatikoje]], pramoninėje elektronikoje ir skaičiavimo technikoje.
==IMS gamybos pagrindiniai technologiniai procesai==
|