Integrinis grandynas: Skirtumas tarp puslapio versijų
Ištrintas turinys Pridėtas turinys
SNėra keitimo santraukos |
Nėra keitimo santraukos |
||
Eilutė 5:
Elektroniniuose įrenginiuose IMS yra pagrindinis vientisas nedalomas elementas toks, koks įprastinėje technikoje [[rezistorius]], [[kondensatorius]] arba [[tranzistorius]]. IMS susideda iš elementų ir komponetų.
IMS elementu vadinama mikroschemos dalis, kuri atlieka [[
IMS komponentu vadinama ta mikroschemos dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
Eilutė 17:
[[Image:Integriniu mikroschemu klasifikacija.png]]
[[Puslaidininkinės integrinės mikroschemos (PIMS)|Pusalidininkinėse (monolitinėse) IMS]] visi elementai gaminami vieno pusalidininkio kristalo paviršiuje ir tūryje; kristalas yra korpuse.
[[Hibridinės integrinės mikroschemos (HIMS)|Hibridinės IMS]] yra sudarytos iš sluoksninių pasyviųjų elementų, nekorpusinių aktyviųjų elementų ([[puslaidininkiniai diodai|diodų]], [[tranzistorius|tranzistorių]]) ir laidumo takelių bei aikštelių.
Sluoksninės IMS yra sudarytos iš sluoksninių elementų ant dialektriko paviršiaus. Plonos plėvelės (iki 10<sup>-6</sup>m) yra gaunamos temovakuuminio nusodinimo ir katodinio purškimo būdu, o storos (daugiau kaip 10<sup>-6</sup>m) - šilkografija arba įtrinant mišinį pro trafaretą. Sluoksninės technologijos metodu gaminami pasyvieji mikroschemų elementai - [[rezistorius|rezistoriai]], [[kondensatorius|kondensatoriai]] ir [[ritė|ritės]].
Priklausomai nuo elementų ir komponentų vietoje IMS skaičiaus mikroschemos būna skirtingo integracijos laipsnio. IMS sudėtingumas apibūdinamas jų integracijos laipsniu ''K<sub>i</sub>'', priklausančiu nuo elementų skaięiaus ''N'' mikroschemoje. ''K<sub>i</sub>'' lygus artimiausiam sveikajam skaičiui, nemažesniam kaip ''lgN''.
<math>K_i=lgN</math>
Mikroschemos, kurių <i>''N''</i>> &le
| |||