Elektronika: Skirtumas tarp puslapio versijų

Ištrintas turinys Pridėtas turinys
Nėra keitimo santraukos
Nėra keitimo santraukos
Eilutė 11:
''Puslaidininkinė elektronika'' nagrinėja ir kuria [[puslaidininkiniai diodai|puslaidininkinius diodus]], [[tranzistorius]], [[integrinė mikroschema|integrines mikroschemas]], [[tiristorius]] ir pan.
 
''Kvantinė arba molekulinė, elektronika'' tiria materijos kvantinių savybių panaudojimą. Svarbiausi šios elektronikos įrenginiai - [[mazeris|mazeriai]] ir [[lazeriailazerislazeriai]].
 
==Istorija==
Eilutė 17:
Elektronikos raida (ją sudaro 3 laikotarpiai) prasidėjo XIX a. II pusėje, kuomet buvo padaryta daug išradimų, pritaikytų elektroniniuose prietaisuose. [[Diodas|Vakuuminio diodo]] ir [[triodas|lempinio tiodo]] išradimas - tai vakuuminės elektronikos, I laikotarpio, pradžia.
 
Nuo [[XX a]]. II dešimtmečio išiplėtė išrastų prietaisų taikymas: pradėjo vystytis [[telekomunikacija]], [[radiofonija]], [[televizija]], [[radionavigacija]], [[radiolokacija]] ir pan. Kai kurie elektroniniai įrenginiai, pvz., gyvsidabrio lygintuvai, yra plačiai taikomi [[elektroenergetika|elektroenergetikoje]]. Iš pradžių jie buvo naudojami metalurgijos ir chemijos pramonės ([[aliuminis|aliuminio]], [[varis|vario]], [[magnis|magnio]], [[vandenilis|vandenilio]] ir t.t gamyba), aukštos nuolatinės įtampos elektros energijos perdavimo sistemose kintamajai srovei lyginti. Elektronikos pasiekimai taikomi moksliniuose tyrimuose, matavimo aparatūroje, ligų diagnostikoje ir terapijoje.
 
[[1939]]-[[1945]] m. vystosi [[mikrobangė elektronika]] (ji taikoma kariniams tikslams), veikianti didelių dažnių diapazone (daugiau kaip kelių šimtų MHz). Mikrobangės lempos naudojamos radariniuose įrenginiuose. Sparčiai vystosi [[radiotechnika]], [[telemechanika]], [[televaldymas]] (tolimo signalų perdavimo valdymas) ir [[telemetrija]] (tolimas matavimo signalų perdavimas). Vystosi aviacija ir rakrtinė technika (sukuriami savivaldžiai sviediniai - [[V-1]], [[V-2]], o veliau amerikietiški [[JB-2]]). Elektroniniai prietaisai miniatiūrizuojami, jie darosi patikimesni. Diskretiniai elementai, pvz., aviacijoje, buvo nepatogūs: dideli ir sunkūs, naudojo didelią galią, brangūs, nelabai patikimi. Pažymėtina, kad elektronikos vystymosi I laikotarpyje elektroninių elementų skaičius kai kuriuose įrenginiuose didėjo kas 10 metų maždaug viena eile arba , trumpai sakant, didėjo kai kurių įrenginių [[elektronizacija]]. Pavyzdžiui, telefoninis stiprintuvas [[1920]] m. turėjo apytikriai 10 elektroninių elementų, o panašus radijo ryšio įrenginys [[1930]] m. - apie 200 elementų, iš jų - 20 lempų. [[1942]] m. bombonešio [[B-17]] elektroninė aparatūra turėjo maždaug 200 000 elektroninių elementų, o panaši lėktuvo [[B-47]] aparatūra [[1952]] m. turėjo 10 kartų daugiau elementų.
Eilutė 24:
 
Vienas didžiausių elektronikos pasiekimų yra dvipolio [[tranzistorius|tranzistoriaus]] išradimas. Prasidėjo elektronikos raidos II laikotarpis - puslaidininkinės elektronikos vystymasis. [[Puslaidininkiniai prietaisai]] maži, lengvi, nedidelė maitinimo įtampa ir galia, labai patikimi, todėl jie nukonkuravo elektronines lempas. Tačiau yra sričių, kur elektroninės lempas pakeisti puslaidininkiais prietaisais netikslinga ir net negalima. Pastaruoju metu naudojamos tik specialios elektroninės lempos - [[elektroninis vamzdis|elektroniniai vamzdžiai]], [[superaukštadažnė lempa|superauštadažnės lempos]], ir didelės galios lempos.
 
Atsiradus [[tranzistorius|tranzistoriui]], sparčiai ėmė vystytis sudėtinga minetiūrinė elektroninė aparatūra. Tačiau miniatiūrizacijai, susijusiai su vakuuminių lempų pakeitimu tranzistoriais, trugdė sunkumai, susiją su kosminių įrenginių, karinės aparatūros, didelių valdymo ir kontrolės sistemų, skaičiavimo technikos gamyba ir montažu.
 
[[1960]] m. buvo pagamintos pirmosios puslaidininkinės [[integrinė mikroschema|integrinės mikroschemos]] (IMS). Prasidėjo mikroelektronikos vystymasis - III raidos laikotarpis, kuris tesiasi iki šiol.
 
[[1968]] m. [[JAV]] buvo pagaminta daugiau kaip 100 milijonų [[integrinė mikroschema|integrinių mikroschemų]], kurios buvo žymiai pranašesnės, ekonomiškesnės ir patikimesnės. Jų kaina priartėjo prie pavienių [[tranzistorius|tranzistorių]] kainos.
 
Laikui bėgant didėjo [[integrinė mikroschema|IMS]] integracijos laipsnis. [[1970]] m. pagamintos didelio integracijos laipsnio integrinės mikroschemos (DIMS). DIMS tiri nuo šimto iki kelių šimtų tukstančių elementų. DIMS technologija yra tokia pat, kaip ir MOP tranzistorių - planarinė.
 
Puslaidininkis [[lazeris]] tapo pagrindu sparčiai vystytis kvantiniai elektronikai. Plačiai paplitę [[optoelektroniniai elementai]], kurių veikimui naudojamas įvairių bangos ilgių elektromagnetinis spinduliavimas.
 
 
 
 
[[Category:Elektronika]]
[[af:Elektroniese ingenieurswese]]
[[en:Electronics]]
[[bn:ইলেকট্রনিক্স]]
[[ca:Electrònica]]
[[da:Elektronik]]
[[de:Elektronik]]
[[et:Elektroonika]]
[[es:Electrónica]]
[[eo:Elektrotekniko kaj Elektroniko]]
[[fr:Électronique]]
[[fy:Elektroanika]]
[[gl:Electrónica]]
[[hr:Elektronika]]
[[id:Elektronika]]
[[is:Rafeindatækni]]
[[he:אלקטרוניקה]]
[[la:Electronica]]
[[nl:Elektronica]]
[[nds:Elektronik]]
[[ja:電子工学]]
[[no:Elektronikk]]
[[pl:Elektronika]]
[[pt:Eletrônica]]
[[ru:Электроника (наука)]]
[[scn:Alittronica]]
[[ensimple:Electronics]]
[[sr:Електроника]]
[[fi:Elektroniikka]]
[[sv:Elektronik]]
[[vi:Điện tử học]]
[[zh:电子学]]