Integrinis grandynas: Skirtumas tarp puslapio versijų
Ištrintas turinys Pridėtas turinys
S wiki sintakse 3 |
S smulkūs automatiniai taisymai. |
||
Eilutė 8:
Elektroniniuose įrenginiuose IG yra pagrindinis vientisas nedalomas elementas toks, koks įprastinėje technikoje [[rezistorius]], [[kondensatorius]] arba [[tranzistorius]]. IG susideda iš elementų ir komponetų.
IG elementu vadinama grandyno dalis, kuri atlieka [[puslaidininkis prietaisas|puslaidininkio elemento]] ([[Puslaidininkiniai diodai|diodo]], [[tranzistorius|tranzistoriaus]]), [[kondensatorius|kondensatoriaus]] ir t. t. funkciją ir konstruktyviai neatskiriama nuo IG.
IG komponentu vadinama ta grandyno dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
Eilutė 37:
=== Oksidavimas ===
[[Silicis|Silicio]] plokštelės oksidavimas vyksta (800-1200°C) temperatūroje [[deguonis|deguonies]] arba deguonies ir vandens garų mišinio apinkoje. Ant plokštelės paviršiaus susidaro [[silicio dioksidas|silicio dioksido SiO<sub>2</sub>]]. Ploni (0,03-0,1 μm storio)silicio dioksido sluoksniai naudojami kaip izoliacija po [[MOP tranzistorius|MOP tranzistorių]] užtūromis. Storesni (0,3-0,8 μm) naudojami plokštelės paviršiui apsaugoto nuo priemaišų difuzijos ar joninio legiravimo procese į paviršių išeinančioms [[pn sandūra|pn sandūroms]] izoliuoti, suformuotos mikroschemos paviršiui apsaugoti nuo aplinkos poveikio it t. t.
=== Ėsdinimas ===
| |||