[[Image:InternalIntegratedCircuit2.JPG|thumb|200px|Fotolitografiniu būdu gaminamas 4,8 GHz dažnio mikroprocesorius.]]
Ji pagrysta šviesai jautrių medžiagų savybe keisti atsparumą tirpikliams, paveikus [[šviesa]]. Fotolitografijos procese [[puslaidininkis|puslaidininkė]] plokštelė po oksidavimo padengemapadengiama [[fotorezistas|fotorezistu]] (fotojautriu sluoksniu), ant jo uždedamas fotošablonas (stiklo plokštelė, iš apačios padengta metalo sluoksniu, kuriame reikiamose vietose išėzdintos angos). Taip paruošta plokštelė iš viršaus apšviečiama [[ultravioletiniai spinduliai|ultravioletiniais spinduliais]](eksponuojama). Apšviestas fotorezistas tampa atsparus ėsdinantiems tirpikliams, o neapšviestas yra pašalinamas ryškinimo metu, ir tose vietose matyti dioksido plėvelė. Po to plėvelė veikiama tirpikliu, ėsdinanciu [[silicio dioksidas|SiO<sub>2</sub>]], bet neveikiančiu apšviesto fotorezisto. Nepadengtose fotorezisto vietose oksido plėvelė nuėsdinama, ir okside gaunami „langai“. Kitu tirpikliu pašalinamas fotorezistas, ir plokštelės paviršiuje lieka [[silicio oksidas|silicio oksido]] plėvelė, labai tiksliai pakartojanti fotošablono piešinį. Fotolitografijos būdu galima gauti piešinį, sudarytą iš 2 μm dydžio elementų. Norint sumažinti elementų matmenis ir padidinti montažo [[tankis|tankį]], taikoma [[elektronolitografija]], kurioje vietoj [[šviesa|šviesos]] leidžiamas [[elektronas|elektronų]] srautas.
